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1β dram
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
鎧俠
存儲(chǔ)技術(shù)
DRAM
MRAM
3D堆疊
|
2024-10-24
HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-10-17
三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
24Gb
GDDR7
DRAM
人工智能計(jì)算
|
2024-10-17
TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
TrendForce
內(nèi)存
DRAM
|
2024-08-30
SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
第六代
10納米級(jí)
DDR5 DRAM
|
2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
TrendForce
集邦咨詢(xún)
|
2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
EDA/PCB
imec
High-NA
EUV
DRAM
|
2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM
手機(jī)與無(wú)線通信
三星
手機(jī)芯片
LPDDR5X DRAM
|
2024-08-07
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
美光
|
2024-07-18
圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
紫光國(guó)芯
慕尼黑電子展
DRAM
SeDRAM
CXL
|
2024-07-11
內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
3D DRAM
|
2024-07-08
服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
服務(wù)器
DRAM
TrendForce
|
2024-06-27
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
3D DRAM
|
2024-06-26
云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
云端
CSPs
邊緣AI
DRAM
TrendForce
|
2024-06-26
HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
美光
|
2024-06-25
美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營(yíng)運(yùn)未受任何影響
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
美光
DRAM
|
2024-06-21
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開(kāi)工率維持 80~90%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
閃存
三星
海力士
|
2024-06-19
合約價(jià)勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)器
DRAM
TrendForce
|
2024-06-17
合約價(jià)上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
淡季效應(yīng)
DRAM
TrendForce
集邦咨詢(xún)
|
2024-06-13
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
南亞科技
內(nèi)存
DRAM
|
2024-05-30
美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
美光
DRAM
日本
EUV
|
2024-05-29
HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-21
三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
三星
SK海力士
內(nèi)存
DRAM
HBM
|
2024-05-16
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
三星
DRAM
|
2024-05-14
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
NAND Flash
TrendForce
|
2024-05-07
2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-06
SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
AI
DRAM
|
2024-04-25
存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭(zhēng)愈演愈烈
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)器
DRAM
TrendForce
|
2024-04-15
美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
閃存
美光
|
2024-04-12
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
3D DRAM
|
2024-04-12
加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長(zhǎng)安
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
美光
DRAM
|
2024-04-03
三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱(chēng)現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
EDA/PCB
三星
MR-RUF
DRAM
HBM
|
2024-03-14
又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)
DRAM
MUF技術(shù)
|
2024-03-04
三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
HBM3E
DRAM
人工智能
|
2024-02-27
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
3D DRAM
存儲(chǔ)
|
2024-02-19
美光內(nèi)存與存儲(chǔ)是實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
數(shù)字孿生
DRAM
機(jī)器學(xué)習(xí)
|
2024-02-06
三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)
三星
內(nèi)存
DRAM
芯片
美光
|
2024-01-30
存儲(chǔ)器廠憂DRAM漲勢(shì)受阻
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)器
DRAM
TrendForce
|
2024-01-17
漲勢(shì)延續(xù)，預(yù)估2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅13~18%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)廠商
DRAM
TrendForce
|
2024-01-08
SSD九個(gè)季度以來(lái)首次上漲 廠商們要持續(xù)漲價(jià)：漲幅55%只是開(kāi)始
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SSD
漲價(jià)
DRAM
|
2024-01-02
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